2026.09.22 | AC | Memory | CXMT After G5 Ramp

摘要

• 长鑫已成为第四家有规模的DRAM供应商，LPDDR6进入旗舰手机，G5开始量产。

• G5关键尺寸约1b，估算裸片密度0.359Gb/mm²。相比G4进步明显，与三巨头的差距仍在。

• 不增加晶圆处理量，若一半晶圆迁移至G5、相对良率达到80%—90%，公司有效bit产出可增加约10%—17.5%；设备吞吐损失需要另行考虑。

• 长鑫的供给增量将同时来自扩产和制程升级。若其占全球bit供给10%，上述迁移情景对应全球供给增加约1%—1.75%。

最近关于长鑫的信息明显增多：LPDDR6进入旗舰手机，G5宣布量产，市场份额继续上升，多地扩产推进，同时又传出布局NAND研发的消息。

这些变化放在一起，长鑫已经走到了一个需要重新评估的位置。它既是具备规模的DRAM供应商，也开始在部分新产品上进入前沿应用；制造能力则通过G5继续向领先厂商靠近。

其中，G5提供了一个直接影响供给判断的新变量：同样数量的晶圆，能够生产更多内存。

产品与市场地位已经发生变化。

TrendForce近期归纳的几项进展，分别对应长鑫的产品能力、制造能力和商业规模。

表1 长鑫近期产品、制造与商业进展

资料来源：TrendForce信息图、长鑫LPDDR6公告、Reuters报道。

LPDDR6商用说明，长鑫已经能够与终端和处理器平台协同推进新一代产品。这不仅涉及存储单元，还涉及高速接口、电源管理、封装和系统适配。进入旗舰手机，是产品能力和客户导入的一项验证。

收入份额接近一成，则说明长鑫已经具有相当的商业规模。不过，存储涨价和产品组合都会影响收入份额，实际供给能力仍需要回到晶圆数量和bit产出来分析。

NAND布局可以作为长期业务拓展观察。现阶段公开信息主要涉及研发及试产规划，对近期供给的影响远小于已经宣布量产的G5。

G5将长鑫的关键尺寸推进到约1b区间。

9月20日，长鑫宣布第五代DRAM技术平台G5实现量产，首发产品为两款24Gb LPDDR5X。公司披露，有源区半间距缩小至11.95nm，电容深宽比达到45∶1，并采用适配DRAM的高介电常数金属栅工艺。

TrendForce将其核心图形化路线描述为SAQP，即自对准四重图形化。它是在DUV光刻基础上，通过侧墙沉积、刻蚀及图形转移等工艺，形成比初始光刻图形更密集的结构。

长鑫披露的11.95nm半间距，对应完整间距23.9nm。Lam工程师发表的技术文章给出的D1b有源区间距范围约为22—26nm。因此，从这项关键尺寸看，G5已经进入约1b的技术区间。

这也说明，缺少EUV并没有让长鑫的工艺进步停下来。先进多重图形化仍然能够支持进一步微缩，美光的1β就曾采用这一方向，通过浸没式光刻和多重图形化实现，而没有使用EUV。

图1 DRAM制程演进——长鑫G4/G4b与G5的近似节点位置

注：G5约1b以关键尺寸判断；图示为技术里程碑，不代表主力产能结构。资料来源：Morgan Stanley、长鑫、Lam及各公司披露。

从裸片密度看，长鑫已经越过此前的1z水平，继续向1b靠近。

大摩此前列出的DDR5产品对比，可以说明长鑫这一轮进步的起点。

长鑫2024年推出的G4产品，裸片密度为0.239Gb/mm²。相比之下，表中三星、海力士2021年推出的产品分别为0.217和0.213Gb/mm²，美光1z产品为0.241Gb/mm²。长鑫G4已经接近这批海外DDR5产品，其中与美光1 z最为接近。

将此次至少50%的单片产出增益套入，G5的密度估算约为：

0.239×1.5＝0.359Gb/mm²。

再与后续节点的密度参照放在一起，可以看到长鑫当前的位置。

表2 长鑫与海外DRAM产品的密度对比

资料来源：笔者调研整理；历史DDR5数据来自大摩及TechInsights，节点参照结合公开拆解、厂商披露与公开模型数据。不同产品类型存在差异。

按这组参照，长鑫G5的估算密度高于1a，约相当于1b参照值的84%、1c的65%。关键尺寸已经进入1b区间，整颗裸片的密度则处于1a与1b之间，与领先1c仍有明显差距。

长鑫这次的突破是实打实的：相比G4，关键尺寸和单片产出都有明显进步。但三巨头也在继续推进先进工艺，长鑫与它们的差距仍然存在。

三巨头也在继续向1c迁移，但各家迁移速度和产品组合不同，行业平均水平仍低于全部采用最先进节点的情景。长鑫面对的是持续进步的竞争对手，同时也不是每一片海外晶圆都具有1c的产出效率。

不增加晶圆投片，G5能带来多少供给增长？

DRAM的有效bit产出，可以拆成：

有效bit产出＝晶圆产出数量×每片晶圆的几何bit容量×良率。

长鑫此次披露，按8Gb颗粒统一换算，每片晶圆产出较G4提高至少50%。这可以直接用于上调G5的单片bit容量，24Gb相对16Gb的容量提升不再重复计算。

接下来，需要考虑新节点的良率和迁移比例。

设G5相对G4的良率分别为90%、80%和70%，在晶圆数量相同的情况下，每片G5晶圆的有效bit产出，分别是原来G4的1.35倍、1.20倍和1.05倍。

表3 G5良率与迁移比例对有效bit产出的影响

注：以上为情景测算，以全部采用G4的产出为基准，总晶圆产出保持不变；迁移比例采用全年平均值。资料来源：笔者测算。

以中间情景为例，原来100片G4晶圆生产100个单位的有效bit。现在其中50片继续使用G4，另外50片迁移到G5，而G5良率达到G4的80%。

前者仍然贡献50个单位，后者贡献：

50×1.5×80%＝60个单位。

总产出由100增加到110，增长10%。

如果相对良率达到90%，总产出则增加17.5%。这部分增长来自现有晶圆的产出效率提升，不依赖新增投片，但仍可能需要设备补充和产线改造。

这也意味着，长鑫未来的bit增长可能同时来自两个方向：新工厂和新增设备提高晶圆数量，G5迁移提高每片晶圆的有效产出。两者共同作用，供给增速可能高于单纯观察晶圆产能扩张得到的结果。

良率和设备吞吐，决定50%的密度收益能够留下多少。

多重图形化增加了工艺步骤，也增加了控制制造误差的难度。沉积和刻蚀的细微偏差可能在后续步骤中累积，影响线间距，严重时造成结构桥接。与此同时，更复杂的工艺会占用更多设备时间，同一套设备能够处理的晶圆数量可能下降。

因此，除了良率，还需要对迁移产线的晶圆处理量做压力测试。假设处理量下降10%，结果如下。

表4 晶圆处理量下降10%的敏感性测算

注：测算针对迁移至G5的产线；后一列为1.5×相对良率×90%−1。资料来源：笔者测算。

90%和80%的相对良率情景，都可以在承受一定吞吐损失后留下净供给增长。到了70%，密度收益已经大部分被消耗，额外的处理量损失可能使净产出转为下降。

所以，宣布量产之后，G5良率爬坡的速度会直接影响长鑫供给增量的兑现时间。模型中应分别跟踪良率和晶圆处理量，已经计入晶圆产出预测的迁移损失不再重复扣减。

成本也可以用同样的方法理解。相对良率为80%时，每片晶圆的有效bit增加20%；如果单片加工成本增幅低于20%，单位bit制造成本就会下降。如果加工成本也增加20%，则主要体现为产出增加，单位bit成本大致不变。

长鑫的行业影响，正在从晶圆扩产延伸到制造效率提升。

从目前的信息看，长鑫已经具备三个比较清晰的特征：商业规模扩大，部分产品进入前沿应用，先进制程继续取得进展。

G5使第三项有了明确的量化依据。评估长鑫的潜在供给时，不能只看未来新增多少万片月产能，还需要调整存量产线的单片产出假设。

以一个行业情景说明：如果长鑫在基准中占全球bit供给10%，制程迁移令其自身产出增加10%—17.5%，就对应全球供给增加约1%—1.75%。对供需缺口以几个百分点衡量的存储市场，这样的增量值得重视。

直接影响首先落在G5已经覆盖的LPDDR5X产品，并可能通过客户替代和其他厂商的产能调整向外传导。未来的行业影响取决于G5的迁移规模，以及新平台向更多产品扩展的速度。

笔者对长鑫当前的位置判断是：产品端已经出现前沿突破，制造端正在缩小差距，供给端则开始同时具备扩产和制程升级两种增长来源。 下一阶段，G5投片占比、良率和单位bit成本，将比单纯的节点发布更能说明其竞争力。

再往后看，在先进光刻设备受限的情况下，长鑫继续缩小关键特征尺寸F的难度可能越来越大。不过，提高密度仍有架构上的选择，例如通过垂直沟道晶体管等设计，将存储单元从6F²推进到4F²。在F不变的情况下，理论单元面积可以缩小约三分之一，同样面积容纳 的单元数量增加约50%。这为长鑫提供了继续提高密度的另一条路径，也将是后续技术追赶值得跟踪的方向。

以上为个人分享内容，仅供参考，不构成任何投资建议。