2026.09.22 | AC | Packaging | OSAT Check: CoWoS-L & China 2.5D

摘要

1. CoWoS-L量产爬坡及CoPoS/3D技术路线;
2. 国产算力芯片封装需求及2.5D产能扩张;
3. 玻璃基板/混合键合设备国产化进展。

以下为专家观点：

截至2026年第三季度，公司在集成封装领域的总产能情况如何，特别是2.5D和3D封装的单月产能分别是多少？

目前，3D封装尚未形成规模量产，单月产能大约在数千片。2.5D封装的单月产能较为明确，保守估计约1万多片，这涵盖了公司所有的2.5D技术平台，主要包括CoWoS-S、CoWoS-L以及公司自研的SmartPoser RDL。需要指出的是，对外公布的SmartPoser BD实际上是指CoWoS-L平台。CoWoS-L与CoWoS-S的本质区别在于，前者仅使用小面积的硅桥（silicon bridge）作为中介层，而大面积区域则采用有机基板以降低成本；后者则使用大面积的硅中介层。

公司的CoWoS-L平台是否对标台积电的CoWoS？

行业内存在将公司的CoWoS-L对标台积电CoWoS的说法，这实际上是一种误解。公司真正对标台积电CoWoS的是另一个采用玻璃基板（TGV工艺）的自有平台，称为CoPoS。

考虑到2.5D封装是当前主流，而3D封装是未来趋势，公司在3D封装领域的战略规划和发展路径是怎样的？

尽管3D封装是长期趋势，但短期内2.5D封装仍是市场大方向，特别是目前热度较高的CoWoS-L技术。虽然CoWoS-L现阶段成本高于CoWoS-S，但一旦实现规模化量产，其成本预计可降低30%至40%。因此，公司的发展路径是先将2.5D的C oWoS-L技术做到成熟量产，下一步攻克采用玻璃基板的CoPoS技术以抢占市场，最后再全面转向3D封装。3D封装的投入产出周期和产量爬坡的可预见性不如2.5D，且其工艺节点覆盖范围存在一定局限性。

如何看待其他厂商在先进封装领域的布局，尤其是他们对3D封装的投入？

半导体行业内多家头部企业都在布局3D封装。然而，他们短期内难以像公司这样快速搭建一个3D平台并实现量产爬坡，因为这需要深厚的2.5D技术积累。目前来看，这些新进入者虽然宣称自建产线，但短期内无法达到现有市场参与者的水平。他们的业务更多偏向于 为Fabless公司（如海思、寒武纪、海光等）提供技术整合与咨询服务。这些芯片设计公司在从设计到产品落地的过程中，需要完整的产业链支持，因此急需具备晶圆厂生产经验、理解前后道工艺强关联性的技术咨询伙伴。市场上这类提供整合方案的公司正在增多， 它们宣称布局先进封装以缓解国内产能紧缺，但现阶段主要扮演的是咨询角色。

如何评估2026年国产算力芯片的整体封装需求？当前高端芯片的单片成本以及在先进封装领域的市场格局是怎样的？

准确预估2026年国产算力芯片的封装需求总量存在困难。市面上的测算数据多为第三方估算，口径不一且可能不准确。主要原因有三点：首先，芯片设计公司对外公布的出货量目标可能存在夸大成分，实际产量可能为了年底集中出货而有所保留；其次，统计口径不同，部分统计可能基于晶圆厂产出的晶圆可切割数量（例如30颗），而未考虑封装后的实际良率（可能仅产出10颗），导致数据虚高；最后，各封装厂的订单来源复杂，难以精确剥离出纯粹的国内需求。 一种更贴近实际的估算方法是从各封装厂接收到的真实封装量入手，结合该业务量在客户总订单中的占比，反推出各芯片设计公司的实际需求，最后进行汇总。以CoWoS工艺为例，行业内保守估计2026年的需求量约为50-60万颗，但考虑到良率等因素，实际需求可能要翻几倍。 在成本方面，实际良率可能导致最终产出降至个位数（10-20颗已属较好水平），从而推高了单颗芯片的成本。 市场格局方面，先进封装领域的供应商主要包括公司、华天科技、通富微电等。

影响稼动率提升的核心驱动因素是什么？

稼动率的提升并非由常规的工艺攻克或产线建成等因素主导，其核心驱动因素直接来源于客户端。具体而言，主要取决于两个方面：一是客户产品的工艺是否已经完全跑通；二是其对应的产品是否存在升级换代的可能性。目前，针对CoWoS-S工艺的产品线已相对定型 并有稳定出货量。相比之下，CoWoS-L工艺仍处于小批量试产的第二阶段，尚未进入量产爬坡。

为什么国内芯片设计公司在与公司合作的同时，也在寻求与其他封测厂（如长电、通富）的合作？

国内芯片设计公司寻求其他供应商主要有几个原因。首先，在量产阶段，现有产能确实无法在短期内满足其全部订单需求。其次，尽管与客户签订了长期合作协议（例如到2030年前不会将2.5D工艺切换至3D），但客户内部的供应商管理策略要求他们开发其他供应 商，以降低成本。虽然公司的利润率较高且价格已具竞争力，但其他厂商也在扩产。此外，这也是为了配合未来的技术升级，公司计划将一部分现有的CoWoS-S产线原地升级为能够运行CoWoS-L工艺的产线，未来CoWoS-S的产能增速将放缓，以便将更多 资源向CoWoS-L倾斜。

从行业格局来看，公司、通富、长电、甬矽电子以及近期关注度较高的汇成等公司的产能情况如何？

在评估行业竞争格局时，主要考量其是否构成真实的业务竞争。通富与AMD深度绑定，且其短期内仅代工部分工艺，不涉及自研硅中介层相关的CoWoS类业务。长电采用的是全站式平台合作模式，即只接受从开发阶段就介入合作的项目，对于已在别处导入的产品，不 会再接受同类型产品的转入，因此短期内不构成直接竞争。甬矽电子虽对外宣称CoWoS-L已实现量产，但其业务赛道并非AI训练大芯片或算力核心这类，而是面向其他应用领域。汇成虽然宣称有较大量产，但其业务主要针对低端市场，与AI训练模型大芯片领域没 有直接关联。综合来看，这些公司目前均不构成潜在的直接竞争对手。

市场普遍认为2027年将是先进封装的大年，例如通富微电曾向资本市场表示未来数年capex可达百亿美元，这类扩产计划的落地可能性如何？

各家公司的客户绑定深度和产品类型不同，因此其扩产计划需独立评估。以公司为例，公司正积极布局2.5D和3D封装。江阴的2.5D产线正在建设和跑量，预计新增产能在2027年年中才会出现明显提升。上海工厂则布局3D封装，产线有望在2027年同期完 成交付并开始小批量试产。2026年，许多新进入者瞄准先进封装领域，一方面是由于国内高端产能确实存在缺口，另一方面是Fabless设计公司的需求旺盛，而能够满足其产品封装要求的厂商仅有两三家。因此，这些先进封装公司宣布扩产，主要是为了服务这些 新客户。至于通富微电的扩产计划，其资金和时间投入可能部分源于AMD业务的稳定支持，使其有余力投资新产线以承接部分国内代工业务。但短期内，尤其是一年之内，其产能增长不太可能达到对外宣称的规模，主要增长动力仍将来自国外订单的突增，而非国内订单。

国内客户在选择先进封装代工厂时，除了产能，主要还受哪些因素影响？

客户能否将部分工艺转移至代工厂，信任是关键。目前合作模式基本是联合开发，从产线建设初期，代工厂就与华为、寒武纪或海光等客户共同商定设备选型，包括采购海外设备或寻找国内替代品，以确保能跑通工艺路线。这个过程非常耗时，例如海外设备采购周期受制裁 影响，至少需要一年。而国内替代设备虽然竞争激烈，但真正能用于生产的仅限于部分非关键工艺的机台。

综合来看，目前国内几家主要厂商在CoWoS-S技术上的差异似乎不大，而CoWoS-L的差距主要体现在Interposer的应用和良率上，是否可以认为除华为外，其他厂商如长电、甬矽电子等在CoWoS-L方面仍处于验证阶段？

是的，其他几家厂商在CoWoS-L方面基本还处于验证阶段。目前对外宣称的的良率数据存在虚高成分。在CoWoS工艺中，存在一个“Known Good Die”的筛选机制，即先在不良品中筛选出相对较好的，再从这些较好的产品中进行挑选。因此，公布的良率数据是基于经过预先筛选的样品计算得出的，并非原始投入的整体良率。

当前先进封装行业的瓶颈主要体现在哪些方面？设备、工艺还是原材料？

先进封装的瓶颈涉及设备、工艺和原材料三个方面。首先，在工艺层面，尽管CoWoS-L技术在2026年已取得突破，但要达到稳定的、可对外公布的大批量产水平，预计要到2027年3月至6月之间。届时产线升级整合完成，才能有效提升产量。其次，在原材料方面，中介层的制造是核心环节。无论是当前主流的硅中介层，还是向有机中介层加硅桥，乃至未来的玻璃基板演进，其核心原材料仍高度依赖海外供应，国产材料在参数上尚未完全满足要求。最后，在设备方面，中介层制造以及芯片贴装（Die Attach）等关键工序所用的设备大部分来自海外，交付周期长。同时，能够采购到的设备往往是几年前的型号，在工艺先进性上落后于国际最新水平，而国产设备对标的也是这些相对老旧的机型，因此导入速度较慢。目前，国产设备主要应用于测试环节，如探针台、ATE等。

在设备维护方面，国产与海外供应商相比存在哪些差异？

国产与海外供应商在设备维护方面存在显著差异。国内厂商通常会派驻整个团队常驻工厂，能够对设备故障、工艺提升需求等问题做出即时响应和解决。相比之下，海外设备的服务响应速度较慢。采购海外设备时，即便同时储备了关键易损件，一旦发生故障，仍可能导致生 产线停产长达三个月甚至更久，问题解决周期无法保障。此外，海外设备的采购费用和维护成本均相对更高。

行业内对于2.5D和3D先进封装技术的关注点和发展趋势是怎样的？

尽管行业普遍关注3D封装，并将其视为未来方向，但当前及未来数年内的主流仍是2.5D封装。3D封装技术，尤其是实现从Die-on-Wafer到Wafer-on-Wafer的跨越，在散热、翘曲、碎片风险以及铜凸点间距等关键技术上仍面临短期内难以 攻克的难题。保守估计，3D封装技术要实现稳定量产并广泛应用于消费产品，至少需要六到七年时间。因此，目前行业内的主要参与者，无论是从工艺成熟度、出货量还是产能布局来看，都更侧重于2.5D技术。

2.5D与3D封装技术之间是否存在必然的演进关系？为何说2.5D封装经验至关重要？

1. 5D与3D封装技术之间存在紧密的演进关系，具备成熟的2.5D封装经验是成功发展3D封装的前提。3D封装技术中应用了大量2.5D的封装工艺，只是在一些关键环节采用了3D特有的技术。芯片设计厂商在选择合作伙伴时，会非常看重其是否拥有2.5D

的量产经验。因此，未来能在3D封装领域领先的企业，必然是那些在2.5D领域已有深厚积累的厂商，而不会是凭空出现的、仅专注于3D封装的新进入者。一些宣称已量产CoWoS的新厂商，若缺乏2.5D的经验积累，其量产速度和规模很可能不及传统厂商，其 业务模式更多是提供工艺整合方案，帮助客户缩短产品导入时间。

在先进封装领域，未来哪些环节或标的具备较大的预期差机会？

从行业景气度加速的角度看，内部会持续跟踪并研究在CoWoS、2.5D或3D封装工艺上进展更快的竞争对手。目前在2.5D封装领域，公司的进展相对较快。其他一些后起之秀，包括部分头部产品的二供厂商，其技术路线基本是沿袭公司五年前的路径。真正投入研发并推动先进技术发展的主要是公司。 另外，甬矽电子虽然目前在做CoWoS-L，但其产线具备进行微调的可能性，未来是否会转向AI算力芯片的封装值得关注。尽管他们当前可能只具备生产低端产品的能力，而非直接针对AI芯片，但拥有产线意味着其工艺迭代速度可能很快。 公司未来的布局重点在于CoWoS-L，该技术起量的关键节点在于玻璃基板的应用。根据内部判断，玻璃基板的大规模应用预计在2028年以后。

除了CoWoS和玻璃基板，产业链上还有哪些值得关注的技术环节？

混合键合（Hybrid Bonding）是另一个值得关注的技术方向。混合键合对于2.5D封装的用途有限，但在3D封装领域将发挥更重要的作用。从工艺层面看，实现特定微米级别的铜间距以对标台积电的水平，技术路线已经明确，国内最先进的工艺与台积电大约有两年的差距。然而，在设备方面，公司有快速追赶的潜力，例如在混合键合设备领域。 国内有多家企业在从事混合键合设备的研发，但与BESI等国际厂商相比存在差距。以设备采购成本为例，如果BESI的设备价格为100万，国内设备可能仅售四五十万，这种显著的成本差异反映出其宣称的工艺参数在实际产线上可能存在较大偏差，准确性有待验证。

为何在众多设备类型中，混合键合设备的需求在3D封装时代会变得尤为重要？

当3D封装成为主流时，混合键合在HBM堆叠以及芯片贴装等环节将发挥关键作用。未来的生产模式可能不再是简单地对半成品进行加工。通过引入混合键合技术，封装厂可以对上游提供的晶圆进行深加工，然后再进行3D封装，从而形成一个闭环的产业链。这一方面可 以帮助上游厂商简化其前期准备工作，降低其成本；另一方面，也提升了封装厂自身的技术壁垒和价值。因此，在3D封装时代，混合键合技术的应用量和需求将变得更为明显。