2026.10.10 | AC | Power | 800V Power Devices: SiC/GaN Hybrid & EPP

摘要

· 方向：围绕高压电源功率器件向SiC、GaN混合应用及更高功率密度演进的方向展望。· 结构：围绕SiC、横向GaN、垂直GaN及硅基器件在高压耐受、开关效率和成本上的分化展望。· 节奏：围绕嵌入式功率封装验证、HVDC架构升级及SST产业化对功率器件需求和价值量提升的影响节奏展望。

以下是调研纪要总结：

· 价格与盈利：专家称2026年SiC器件已经历约两轮调价，公司提出的整体涨幅约10%，但实际成交涨幅低于该水平，部分低毛利产品通过重新定价改善盈利。成本端整体上涨约5%至7%，其中封测约占SiC器件成本的10%，影响相对有限。随着AIDC需求提升及器件涨价，专家预计2027年公司毛利率有望继续改善。

· SiC/GaN技术路线：专家认为800V HVDC中直接承受高压母线的器件主要采用1200V SiC，而后端LLC等环节可以采用650V GaN，以提高开关频率和功率密度。公司Vertical GaN目前尚未量产，若未来1200V器件验证成功，预计2028年后有机会替代部分SiC。EPP嵌入式功率平台通过将SiC die嵌入PCB提升功率密度，但仍需PCB工艺配合，专家预计距离大规模量产约3至5年。

· 新应用与产业化：专家认为SiC用于先进封装散热基板和中介层仍受到晶圆尺寸、脆性及成本约束，短期缺乏明确产业化需求；SST目前也主要处于工程演示阶段，涉及10kV高压器件的供应商较少。公司提出AI机柜功率半导体价值量由1.5万美元提升至11.5万美元，主要对应SST、800V HVDC及SiC全面导入的远期理想架构，短期难以兑现。

以下是专家观点：

Bryce Wang：从天岳或大陆其他厂商采购衬底的价格是否有所下降？从今年（2026年）4月到6月是否有下降？

专家：可以理解为价格有所下降。

Bryce Wang：器件价格变化如何？

专家：器件目前是在涨价的，公司今年（2026年）应该有两轮涨价。具体涨幅不好给出一个准确数字，因为并不是统一上涨10%或5%，而是公司根据每颗器件在每个客户的利润率进行调整。举个例子，利润率低于20%的器件会被要求涨到35%，这是一个模式上的调整，所以公司看不到一个统一的区间数字。但整体来看，涨价的清单很长，整体感受下来公司要求的涨幅大约在10%左右，但最终实际谈下来的涨幅肯定达不到这个数字。

Bryce Wang：封装成本呢？

专家：封装成本方面，公司对外的说法是原材料和封装成本上涨。但实际上，公司的封测都在自有工厂，这些工厂设备早已折旧完毕，坦白说，封装成本并没有大幅上涨。

Bryce Wang：但都说封测那边，铜这些金属的价格其实比以前高了，因为这些金属在封装成本中占比较高，所以这部分其实推动了成本上升。

专家：确实，原材料价格有一定上涨。

Bryce Wang：能感知今年（2026年）的成本端，比如衬底和封测这种材料成本，不考虑稼动率和良率提升的影响，它们涨了5%~10%，然后价格这边5%~10%抵掉了，还是怎么样？

专家：个人感受不一定完全准确，因为这是一个整体的情况。但整体上对公司的影响，成本端大概是个位数的影响，可能在5%~7%左右。原因是，对于碳化硅器件来说，成本的大头在衬底，封测虽然重要，但占比只有10%左右。在这10%的部分，即使有上涨，整体影响也有限。

Bryce Wang：刚提到成本其实没有涨多少，但价格那边有几次调价。如果这个环节没有特别改善，价格能够传导下去吗？

专家：首先，成本确实有增加，但个人理解是没有增加那么多。公司借这个机会，把一些利润率特别低的器件，通过涨价调整到更合理的水平，目的是让毛利更好看。对于产品线负责人来说，这是考核的红线。公司感受到的涨价压力其实没有那么大，公司并不是强制要求必须涨价，涨不上去也不会断供，还是保留了一些谈判空间。如果客户能多给项目或订单，这些涨价其实可以不涨。从这些信号来看，成本确实有上涨，但幅度并不大。

Bryce Wang：能不能介绍一下近期提出的嵌入式功率平台EPP？

专家：EPP是公司以及整个业界从去年（2025年）开始推广的嵌入式功率平台。它的目标是把碳化硅的die直接集成到PCB板中，实现嵌入式结构，核心目的是进一步提升功率密度，比如让电驱做得更小，甚至接近手机大小。去年公司有两个嵌入式路线，后来淘汰了一个，目前保留了EPP，并且EPP也更名过，这是它的背景。

目前EPP更多还是技术预研或技术牵引，距离真正量产和上车还有一段时间，保守估计还需要三到五年，激进一点也要两三年，不会很快实现。作为功率器件供应商，公司只提供碳化硅die，但PCB板厂还需要做工艺改良和配合，包括特殊工艺实现PCB压接等，涉及很多工艺难题，这不是公司一家能完成的，所以整体进展不会太快。

Bryce Wang：这种技术诞生的背景是什么？基于什么需求逻辑？要改善哪些问题？

专家：背景很清楚，车载电驱经过多年迭代，散热和双面水冷等技术已经做到极致，功率密度难以继续提升，电驱无法再做得更小，导致车重和空间占用增加。因此，行业希望通过技术突破，把die埋入PCB板，实现更小型化，但这在技术和工艺上难度很大。

Bryce Wang：刚提到的是汽车领域，那未来AI电源领域不会用这种技术吗？

专家：这主要取决于系统是否有痛点和需求。如果像AIDC这类应用对功率密度要求不那么极致，其实没必要把体积做得特别小，因为极致小型化是有代价的。

Bryce Wang：目前看到的类似800伏HVDC上，现在用的是碳化硅方案、氮化镓方案，还是混合方案，或者和硅基混合？

专家：800伏母线需要用到1200伏的器件，这里毫无疑问是碳化硅。

Bryce Wang：是否为全碳化硅方案？

专家：对，因为氮化镓目前还做不到1200伏，现在还是650伏。公司在推广垂直型氮化镓（Vertical GaN），理论上可以做到1200伏，但还处于推广阶段，没有量产。所以现在量产的1200伏器件都是碳化硅。

Bryce Wang：有些专家在推“碳化硅+氮化镓”的混合方案，这些方案是推给客户，还是客户自己选择？

专家：这里需要区分，800伏方案前端是PFC，后端是LLC，LLC其实就是DCDC。必须区分的是，挂在800伏母线上的器件耐压要做到1200伏，这部分必须用碳化硅。但在后端，比如LLC输出端，很多客户主流选择氮化镓，因为它频率更高、体积更小，系统可以做得更紧凑。所以在这种场景下，可以称为氮化镓和碳化硅的混合方案。

Bryce Wang：有没有用硅基器件，通过串联并联达到类似效果的方案？

专家：没有，现在不会采用这种方案，成本太高。硅基器件一般用于100伏、80伏等更低电压场景。

Bryce Wang：能否介绍一下，800伏HVDC电源架构中用多少颗1200伏碳化硅器件，每颗大概多少钱？这样可以和硅基做比较。

专家：以典型几千瓦的PSU为例，前端一般用PFC，基本上是四颗650伏碳化硅MOS管，后端LLC则是四颗650伏氮化镓器件。所以一个PSU通常是四颗碳化硅、四颗氮化镓，这是比较经典的架构。不管是组装成100千瓦还是300千瓦的机柜，基本都是用这种方式拼接。刚才说的还不是800伏的，因为输入电压低，是650伏。800伏的系统会更复杂，刚才说的是相对简单的PSU拼接。800伏架构前端也是DCDC，PFC后面加LLC，前端PFC还是用1200伏碳化硅器件，后端LLC可以用氮化镓。最经典的数量大致是一半一半。

Bryce Wang：总体数量是多少？

专家：总体数量取决于功率大小，目前没有整理具体的数量数据。

Bryce Wang：既然数量没有比较出来，为什么刚才提到用硅基的成本会很高呢？

专家：硅在这里肯定不能用，这里都是碳化硅或者氮化镓，属于第三代宽禁带半导体，不太会用硅。硅主要用于IGBT，这里不会用IGBT。

Bryce Wang：MOS呢，不能通过并联和串联的方式来实现吗？

专家：这里的高压硅器件只有IGBT。如果讨论MOS，MOS的耐压基本上只有200伏左右。个人没有理由用六个200伏的MOS去串联，因为有一颗1200伏的碳化硅可以直接用。

Bryce Wang：但是如果他们通过价格战来竞争怎么办呢？

专家：这不可能。如果用硅的MOS串联，还需要配驱动。这里有一个很基础的细节，就是需要接地，串联后是浮地，驱动无法实现，这种应用不存在。

Bryce Wang：你是说工程原理上完全实现不了？

专家：这个问题其实不需要讨论，不可能用硅，这里不会用硅。没有这种说法。只有极个别场景，比如车上的OBC，有些拓扑结构下，电流可以走碳化硅，但外部再并一个硅的MOS，在关断瞬间流一些关断电流走硅的二极管，这种情况勉强可以叫混碳，但除了这种极少数场景，没有其他用法。

Bryce Wang：所以现在可以确定，800伏这边只可能用碳化硅或氮化镓，对吗？

专家：对，现在任何厂家都是用碳化硅或氮化镓，没有人用硅。

Bryce Wang：个人先把这个确定下来，因为之前半年或一年前，大家都说一定会用碳化硅，后来又出现了氮化镓和碳化硅的混合，所以还是需要把这个问题研究清楚。

专家：氮化镓后来应用的原因在于它在一些低压场景，比如650伏时，开关频率可以更高，所以有些客户和供应商会选择它。但无论如何，都不会转回用硅。

Bryce Wang：现在有看到关于先进封装中的中介层、散热层、散热基板等，有人说市场上会用，有人说只是概念，怎么看？

专家：大概一年前公司讨论过这个问题，结论是还是比较牵强。当时碳化硅产能过剩，大家试图寻找新场景消化SIC产能，想到这些地方。但稍微分析后发现根本无法应用。首先，虽然碳化硅导热性确实有优势，但它太硬，尺寸稍大就容易脆裂，刚性高。其次，从工程角度看，如果真的要用，为了匹配现有工艺产线，需要做到12英寸，但实际上8英寸才刚刚起步，不可能做到12英寸。第三，成本还是比较高。所以一年前讨论后，基本没人再提了。

Bryce Wang：跟同行或行业朋友交流后，觉得这只是一个概念，没有真实的产业化进展，对吗？

专家：对。当时公司也关注过这个新技术趋势，但很快因为AIDC的兴起，碳化硅产能迅速消耗，这个话题也就没有热度了。

Bryce Wang：2028年800伏的应用会不会增加氮化镓的使用？

专家：800伏，如果是在车上，还是在其他地方？如果是800伏的HVDC，时间节点大概在2028年，是有可能的。因为氮化镓有开关频率高、功率密度高的优势。另外，像公司主推的垂直型氮化镓，既有高频率优势，又能做到1200伏高耐压。如果市场验证认可，确实能替代一部分碳化硅。

还有一个优势是die size更小，在同等条件下比碳化硅小，器件可以做得更小，成本也更低。

Bryce Wang：美国政府近期开始支持碳化硅和氮化镓的本土制造能力，这个怎么看？

专家：指Wolfspeed相关事件吗？公司没有特别关注，因为他们经常说拿到补贴，但真假难辨，不确定是否真的拿到。

Bryce Wang：现在看到SST的进展怎么样？

专家：SST现在不断有新闻，包括国内和Wolfspeed方面。但从客户反馈看，还是以工程演示为主，并未真正商用。目前涉及10千伏高压器件，业内只有英飞凌、Wolfspeed和GE三家有相关产品。

Bryce Wang：工业端的复苏怎么看？

专家：工业端公司关注度不高，整体比较平稳，没有太多新信息。

Bryce Wang：公司近期提出，从电网到芯片核心，按单个AI机柜折算的半导体价值量，未来可能从1.5万美元提高到11.5万美元，这个怎么看？

专家：这个描述更多是远期场景，短期内很难实现最理想的状态。比如要包含SST，后端还有800伏直接输入的架构。

Bryce Wang：这个数据的口径是什么？包含的期限具体指什么？

专家：个人后来做了整理。1.5万是在一次电话会议上提的。背后的逻辑是，传统架构是1.5万，提升到11.5万是指全套从SST到800伏，再到整体架构全部换成碳化硅，是最理想的设想，仅供参考，短期内不会实现。

Bryce Wang：明年（2027年）的毛利率怎么看？大概会是什么水平？

专家：毛利率上季度财报是40多一点。明年按照现在趋势，只会向上走。AI拉动和涨价都会正向推动毛利率提升。