2026.09.28 | Primer | HBF
HBF (High Bandwidth Flash) 是 SanDisk 和 SK hynix 主导的"用闪存堆出来的 HBM":把 NAND 闪存芯片叠 8 或 16 层,贴在 GPU 旁边原本放 HBM 的位置上。它用闪存换来了大 10 倍以上的容量,代价是带宽略低、怕写、发热大。2026 年 8 月刚出第一版开放标准,2027 年送样,2028 年量产。
HBF 一个 stack 512GB、1.6TB/s,容量是 Rubin 用的 36GB HBM4 的 14 倍,带宽约为它的 57%。GPU 旁边能贴内存的位子是固定的 (8–12 个),所以要按"每个位子"比,不按每 GB 比:一份只读数据每秒被整份读的次数 (f × S) 低于约 44 (= 1.6TB/s ÷ 36GB,发热降频后约 35),放 HBF 占的位子更少;高于这个数 HBM 更好;要频繁写的 (在线 KV、激活) 只能放 HBM。所以它赢在批量推理、多模型常驻、共享只读 KV、容量不够的 ASIC 这类"数据多、读得不快"的场景,输在前沿模型的高速交互解码;首批客户更可能是 TPU、Tenstorrent 这类 ASIC,要等 2028 年底后的新芯片,2029–30 年才起量。2030 base 约 $1.5B、1.5 EB NAND,对 NAND 总位元不到 0.1%,对 HBM 只是 ASIC 上的小幅替代。
Follow-up (复查 2026.12.31)
- 跑一遍:拿北大公开的 HBF 仿真代码,放只读权重而不是在线 KV,扫一遍 f × S。第 5 节的门槛 (f × S < 44) 是按规格算的,没有独立实测。goodput 在 f × S = 10 时 ≥ 纯 HBM 的 1.5 倍 → 判断成立;在 f × S = 10 时都不赢 → 门槛只是纸面数字,base 砍一半唯一能自己动手的验证,排第一;对应第 5 节
- 样品实际能持续跑多快 (热降额)。SK hynix 自己说 HBF 功耗最高是 HBM 的 4 倍,北大的热模型显示 stack 在峰值带宽之前就到热限。门槛 = 1.6TB/s × 持续比例 ÷ 36GB:样品持续 ≥ 80% → 门槛约 35,结论不变;只有 50% → 门槛降到约 22,批量推理之外的场景基本出局对应第 5 节的"热降额"滑块
- 样品用 SLC 还是 TLC。OCP spec 的 512GB 按 TLC 算,H3 论文的约 10 万次擦写是 SLC 级数字。SLC → 单 stack 约 170GB,只剩 HBM4 的 4.7 倍,多模型常驻这类纯容量场景的优势缩小 3 倍;TLC 且给出只读场景寿命 → 不动对应第 2、5 节
- 第一个把 HBF 设计进去的加速器是谁、何时 tape-out。起量的闸门是芯片设计周期,不是 NAND 产能;联盟里有 Google、Tenstorrent,NVIDIA / AMD 未表态。2027 年中前有具名 XPU tape-out → base 2029 起量成立;GTC 2027 NVIDIA roadmap 出现 HBF → a 从 3% 提到 10%;2027 年底仍无 design-in → 曲线整体后移一年对应第 10 节
- HBF stack 的目标价。P 是从晶圆价倒推的,没有厂商口径。单 stack 定价接近 HBM stack (约 $600) → P 取 $700;只有 HBM 的一半以下 → P 降到 $300,base 降到约 $0.9B对应第 10 节的 P
1. 是什么
一句话:HBF 是把 NAND 闪存像 HBM 一样叠起来、贴在 GPU 旁边的内存,让一颗 GPU 身边多出十几倍的容量,用来放"量大、只读、不需要最快速度"的数据,比如模型权重。
先说 HBM 是什么
- GPU 算得很快,但数据要从内存里搬进来。HBM 是把 8–16 层 DRAM 芯片叠成一摞 (stack),直接贴在 GPU 旁边,用几千根线连着,所以搬得快:Micron 给 Rubin 的 HBM4 每个 stack 带宽超过 2.8TB/s
- 代价是贵、容量小:一个 stack 36GB,Rubin 一颗 GPU 贴 8 个,一共 288GB
- GPU 边上能贴内存的位置是有限的 (8–12 个),这些位置叫 shoreline,是芯片设计时就定死的
带宽、容量、位子
- 打个比方:GPU 是灶台,旁边只能摆 8 个架子。每个架子有两个指标:能放多少菜 (容量),每秒能递出多少菜 (带宽)
- HBM 是小而快的架子,HBF 是大 14 倍、递菜速度约 6 成的架子
- 所以比较两者要按"每个架子"比,不能按"每放 1GB"比:架子数量固定,一个大架子如果能顶替两三个小架子,就省下位子给别的
HBF 和 HBM、SSD 差在哪
- 和 HBM 比:材料从 DRAM 换成 NAND 闪存。闪存密度高、便宜,所以同样大小的一摞能放 14 倍的数据;但闪存读一次要微秒级 (DRAM 是纳秒级)、写入有寿命、功耗和发热更大
- 和 SSD 比:用的是同一种闪存,但 SSD 放在机箱前面,走 PCIe 这根细管子,一块盘约 28GB/s;HBF 贴在 GPU 旁边,走封装内的宽接口,一个 stack 1.6TB/s,快 57 倍
- 和 CPU 内存比:NVIDIA 的 Vera CPU 带 1.5TB LPDDR,通过 C2C 连到 GPU,约 1.8TB/s,但两颗 GPU 共用。这是 NVIDIA 自家对"容量不够"的答案,也是 HBF 在 NVIDIA 平台上不急的原因
做成了什么产品
- 标准:SK hynix 和 SanDisk 通过 OCP 发布开放标准 (2026-08),单 stack 最高 512GB,带宽分三档约 0.4 / 1.6 / 3.0TB/s,接口走 UCIe
- SanDisk 路线图:Gen1 512GB / 1.6TB/s,Gen2 1TB / 2TB/s 以上,Gen3 1.5TB / 3.2TB/s 以上
- SK hynix:把 HBF 列为 AI NAND 三条线之一,叫 AIN B
拿来干什么:多模型常驻的例子
- 一个推理平台要让几十个模型 (或几十个 LoRA 版本) 随时可用,合计 2TB 权重,但同一时刻只有一小部分在被调用
- 今天:HBM 装不下,只能放在 CPU 内存或 SSD 里,谁被调用再搬进来,切换一次要几百毫秒到几秒;或者多买 GPU,只为了多几个 HBM 位子
- 用 HBF:4 个 HBF stack 就能把 2TB 全部放在 GPU 旁边,被调用的那部分直接读,HBM 留给在线 KV。按第 5 节的计算,这类场景需要的 GPU 能从 8 颗降到 1 颗
现在到哪一步
- 标准刚发布,SanDisk 首颗 die 已 tape-out,推理产品样品 2027 年,量产 2028 年
- 没有任何加速器公开宣布采用。要用 HBF,GPU 或 ASIC 要在设计时就加上 HBF 接口,芯片设计周期 2–3 年
- NVIDIA 没有表态;联盟里有 Google、Tenstorrent
| 规格 | 内容 |
|---|---|
| 结构 | 3D NAND die 用 TSV 堆 8 或 16 层 + 逻辑 base die,贴在 interposer 上,UCIe 接口 |
| OCP spec | 单 stack 最高 512GB;带宽约 0.4–3.0TB/s 三档;规定电气特性、堆叠可靠性与封装、软件 I/O 指南 |
| 路线图 | Gen1 512GB / 1.6TB/s (16 × 256Gb die);Gen2 1TB / >2TB/s;Gen3 1.5TB / >3.2TB/s |
| 进度 | 2025-08 双方合作;2026-02 OCP 工作组;2026-08 spec;SanDisk die tape-out;2027 送样;2028 量产 |
| 厂商自己列的缺点 | SK hynix H3 论文:访问是 μs 级、擦写寿命约 10 万次、功耗最高是 HBM 的 4 倍 |
Source: SK hynix Newsroom (2026-08-04);SK hynix H3, IEEE CAL (2026-02);TrendForce 引 GS / Mizuho 的 SanDisk Investor Day 纪要 (2026-08-14);StorageReview (2026-08-20);Micron HBM4 规格 (GTC 2026);Tom's Hardware (2025-10-28)
一句话:HBF 是一个大 14 倍、快六成、怕写怕热的 HBM 架子,贴在同样稀缺的位子上
2. 机制:性能从哪来,卡在哪
一句话:HBF 的带宽来自"很多小块闪存同时读",卡住它的是闪存怕写、发热,以及它要抢 HBM 的位子。
带宽从哪来
- 普通闪存一次只能开几个口读,所以 SSD 慢。HBF 把每层芯片切成很多个小阵列,每个小阵列有自己的读出通道,上千个一起读,再通过底下的逻辑芯片 (base die) 和几千根 TSV 竖线送到 GPU
- 这是把闪存"按带宽重新设计",不是简单把 SSD 挪近。SanDisk 的原话是按带宽而不是按面积和成本优化 NAND
卡在哪:四段,每段谁说了算
| 环节 | 决定什么 | 谁定义 | 现在卡不卡 |
|---|---|---|---|
| 闪存颗粒 | 容量、写入寿命、每 GB 成本 | SanDisk (BiCS / CBA)、SK hynix | 写入寿命是硬伤:只能放只读数据 |
| 堆叠 + base die | 带宽、功耗、发热 | SanDisk、SK hynix (沿用 HBM 的 TSV 堆叠) | 卡:功耗最高 HBM 的 4 倍,北大热模型显示峰值带宽之前就到热限 |
| 位子 (shoreline) 和接口 | 一颗 GPU 能贴几个、HBM 和 HBF 各几个 | 加速器设计方 (NVIDIA、Google、Tenstorrent);接口按 OCP spec + UCIe | 最关键的闸门:没有芯片加 HBF 接口,就没有需求 |
| 软件 | 哪些数据放 HBF、提前读 (prefetch) | 加速器方的 runtime 和框架 | 还没有;北大实测没有它比纯 HBM 还差 |
- 原厂只定义前两段,最关键的第三段在加速器设计方手里。所以 HBF 的命运取决于 Google 这类 ASIC 设计方和 NVIDIA 愿不愿意在芯片上留接口,不取决于闪存厂能做多快
每个位子能给什么
| 一个位子放 | 容量 | 带宽 | 每秒能把自己读几遍 | 每秒 20 步时,每步能读多少 |
|---|---|---|---|---|
| HBM4 (Rubin,12 层) | 36 GB | 2.8 TB/s | 78 | 36 GB (容量先满) |
| HBF Gen1 (TLC) | 512 GB | 1.6 TB/s | 3.1 | 80 GB (带宽先满) |
| HBF Gen1 (若 SLC) | ~170 GB | 1.6 TB/s | 9.4 | 80 GB |
| HBF Gen2 | 1 TB | >2 TB/s | ~2 | >100 GB |
每步能读多少 = min(容量, 带宽 ÷ 每秒步数)。HBM4 数字取 Micron 给 Rubin 的 36GB、2.8TB/s
- 每秒 20 步时,一个 HBF 位子每步能读 80GB,一个 HBM4 位子只能读 36GB,因为 HBM 先被容量卡住。按位子算,HBF 反而多读一倍多,外加 430GB 放着不读的冷容量
- 步数越快,HBF 越吃亏:每秒超过 44 步 (1.6TB/s ÷ 36GB),HBF 每步能读的量就少于一个 HBM4 位子
- "每秒能把自己读几遍"只有 3 次,说明大部分容量是冷的,但冷容量本身不是缺点,是白送的
一句话:按位子比,每秒 44 步以下 HBF 每步读得比 HBM4 多;卡住它的是写入、发热和加速器方给不给位子
3. 数字打折
| 厂商 / 市场数字 | 级别 | 跟谁比 | 谁测的 | 换成正确对手 |
|---|---|---|---|---|
| 带宽是 SSD 的 230 倍 | 规格 | PCIe 4.0 SSD (7GB/s) | 中文媒体口径 | 对 Gen6 SSD (28GB/s) 约 57 倍;对 HBM4 (2.8TB/s) 0.57 倍 |
| 容量是 HBM 的 8–16 倍 | 规格 | HBM4 36–64GB | spec | 按 TLC 算;SLC 模式约 170GB,只剩 2.7–4.7 倍 |
| 和 HBM 带宽接近、成本相近 | 设计目标 | HBM | SanDisk 自述 | 带宽 0.57 倍 (对 Micron HBM4);价格没有厂商口径,我估单 stack 约 $500 对 HBM4 约 $600 |
| 4 颗 HBF GPU = 8 颗 HBM GPU 的 token 产出 | 厂商仿真 | 纯 HBM 配置 | SanDisk 自测,经 GS / Mizuho 转述,图表无坐标数值 | 按第 5 节的算法,只在 f × S 低于约 44 时成立;高速交互解码下反过来 |
| 读 Llama 405B 权重,与无限容量 HBM 只差 2.2% | 厂商仿真 | 理想 HBM | SanDisk 自测 | 场景是读权重,正是它的强项;没有给出每秒步数 |
| H3:perf/W 高 2.69 倍 | 厂商仿真 | B200 + 纯 HBM3E | SK hynix 自测 | 只在巨大的只读共享 KV 场景 |
| HBF 放 KV:延迟升 2–5.5 倍、goodput 降 1.1–2.7 倍 | 独立仿真 | 替代 SSD 放在线 KV | 北大,代码与 trace 公开 | 这是它的弱项场景,不代表放权重也不行 |
| 2038 年 HBF 需求超过 HBM | 个人预测 | HBM | KAIST 金正浩 (HBF 倡导者) | 无算式,不引用 |
Source: 北大 Li et al., arXiv 2608.11668 (2026-08-12);SK hynix H3 (2026-02);SanDisk blog (2025-08) 与 StorageReview (2026-08-20);TrendForce (2026-08-14、2026-01-16)
一句话:所有好看的倍数都来自厂商仿真;唯一的独立数据测的是它的弱项 (在线 KV),它的强项 (只读权重) 还没有独立实测
4. 一句话规则
判断一份数据该不该放 HBF,只问一句:它每秒要被整份读几遍 (f × S),以及它写不写。
- f:每生成一步,这份数据被读到的比例;S:每秒生成几步。dense 模型的权重每步全读,f = 1;几十个模型里每次只用一个,f 可能只有 5%
- 门槛 = HBF 带宽 ÷ HBM 单栈容量 = 1.6TB/s ÷ 36GB ≈ 44。f × S 低于它,放 HBF 用的位子更少;高于它,HBM 更好
- 要频繁写的 (在线 KV、激活、训练中的参数),不管读得多慢都只能放 HBM
- 门槛会动:HBF 发热降频到 80% → 约 35;换 16 层 64GB HBM4 → 约 25;HBF Gen2 (2TB/s) → 约 56
| 数据 | f (每步读到的比例) | S (每秒步数) | f × S | 写不写 | 放哪 |
|---|---|---|---|---|---|
| 前沿模型高速交互解码的权重 | ~1 | 50–100 | 50–100 | 不写 | HBM |
| 批量 / 离线推理的权重 | ~1 | 5–20 | 5–20 | 不写 | HBF |
| 大 MoE (专家分散在很多 GPU 上) | ~0.8 | 30–60 | 25–50 | 不写 | 边界,看步数 |
| 多模型 / 多 LoRA 常驻 | ~0.05 | 30 | ~1.5 | 很少 | HBF |
| 共享只读长前缀 KV (预先算好) | ~0.1 | 30 | ~3 | 一次写入 | HBF |
| 在线生成的 KV | ~1 | 30 | ~30 | 每步都写 | HBM |
f 和 S 是我按典型部署估的量级
一句话:只读、f × S 低于约 44 的数据放 HBF 更省位子;要写的一律放 HBM
5. 一颗 GPU 的位子怎么分:HBM 全配 vs HBM + HBF
市场最常问的是"HBF 能不能让 GPU 少买几颗"。把一个部署拆成两类数据:只读的 (权重等,量 D) 和要写的 (在线 KV,量 K),分别算要几个位子,再按每颗 GPU 8 个位子折成 GPU 数。
第一项是"按容量要几个",第二项是"按带宽要几个",取大的。在线 KV 每步全读、要写,只能放 HBM。
- 批量推理 (S = 10):纯 HBM 被容量卡住要 3 颗 GPU,HBM + HBF 只要 1 颗
- 交互式大 MoE (S = 50):纯 HBM 3 颗,HBM + HBF 反而要 4 颗,因为 HBF 的带宽不够,要多堆位子
- 多模型常驻:2TB 权重只有 5% 在用,纯 HBM 要 8 颗,HBM + HBF 1 颗
- Llama 405B (S = 20):两种都是 2 颗,打平。SanDisk"4 颗 = 8 颗"的仿真需要更低的步数或更多冷数据才成立
- 拖"持续比例"滑块:发热降频越狠,HBF 赢的区域越窄。这是 Follow-up 第二条要盯的
一句话:HBF 能让 GPU 少买 3–8 倍,前提是数据多、读得慢;前沿模型的高速交互解码反而要多买
6. 反过来想:缺什么,缺的是什么性质
| 能力 | HBM | HBF | 缺的性质 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 纳秒级访问 | 有 | 无 | 天生 | 闪存读靠电荷感测,μs 级是物理决定;权重是顺序读,可以靠提前读藏掉 |
| 频繁写 / 寿命 | 有 | 弱 | 能补但吃掉优势 | 换 SLC 能扛写,但容量掉到 1/3;北大实测 TLC 放 KV 比它替代的 SSD 池还先写坏 |
| 高速交互时的带宽 | 有 | 不够 | 天生 (当代) | 每个位子 1.6 对 2.8TB/s;每秒 44 步以上 HBM 更好。Gen3 (3.2TB/s) 会把门槛推到约 90 |
| 功耗 / 散热 | 基准 | 最高 4 倍 | 能补但吃掉优势 | 降档到 0.4TB/s 能控热,带宽也没了 |
| 不占 HBM 的位子 | — | 占 | 天生 | 每放一个 HBF 就少一个 HBM |
| 加速器接口 | 有 | 无 | 没适配 | 要芯片设计时加上,2–3 年周期 |
| 软件 (放哪、提前读) | 成熟 | 无 | 没适配 | 北大实测没有它比纯 HBM 还差 |
| NVIDIA 支持 | — | 无 | 没适配 | NVIDIA 有 Vera C2C LPDDR 和封装外 flash 两条自家路线 |
| 多家供应 | 3 家 | 2 家 + 开放标准 | — | 开放标准,Samsung、Kioxia 都能按 spec 做;会商品化 |
- 天生的几条是同一件事:闪存读要微秒、怕写、用容量换带宽。所以它进不了"每步都读写"的热路径,下一代不会翻
- "能补但吃掉优势"的写入和发热,是最大的风险:补了就只剩 HBM 的 3–5 倍容量
- 会翻的是接口、软件和 NVIDIA 的态度,Follow-up 盯这几条
- 设计三角是"便宜的容量 / 离算力近 / 能随便写",只能选两个,HBF 选前两个
一句话:HBF 最硬的缺陷是不能频繁写和发热,补上就吃掉容量优势;能翻的都在芯片接口和软件上
7. 场景逐个过 (PMF)
| 场景 | f × S | 写不写 | HBF | 今天放哪 | 状态 |
|---|---|---|---|---|---|
| 多模型 / 多 LoRA 常驻 | ~1–2 | 很少 | 最佳 | CPU 内存 / SSD,用时换入 | 理论成立,无部署 |
| 批量 / 离线推理 (评测、数据合成、后台 agent) | 5–20 | 不写 | 适合 | 多买 GPU 凑 HBM | 理论成立,无部署 |
| 共享只读长前缀 KV / 预计算 KV | ~3 | 一次写入 | 适合 (H3 的目标场景) | HBM / DRAM / CMX | 厂商仿真 |
| 大 MoE 专家权重 | 25–50 | 不写 | 看步数,边界 | HBM + 扩 scale-up 域 | — |
| 端侧大模型 | 低 | 很少 | 理论上适合,未验证 | LPDDR | SanDisk 最早的 pitch;功耗和成本未证 |
| 前沿模型高速交互解码 | 50–100 | 不写 | 不适合 | HBM | — |
| 在线生成的 KV | ~30 | 每步写 | 不适合 | HBM → DRAM → SSD | 北大实测更差 |
| 训练 | 高 | 每步写 | 不适合 | HBM | — |
- PMF 是"数据多、读得不快、只读"的推理:多模型常驻、批量推理、共享只读 KV。对应的买家是做 serverless 推理的云、跑大量后台 agent 的公司、以及自研 ASIC 的 hyperscaler
- 最可能先用的是 ASIC:NVIDIA 有 Vera 的 1.5TB LPDDR 走 C2C,容量问题有自家答案;TPU、Tenstorrent 没有,这就是联盟里是 Google 和 Tenstorrent 的原因
- 其他对手:更大的 scale-up 域 (把容量摊到更多颗 HBM 上)、CXL 内存池、HBM 减配 (4 层、8 层 HBM4)。HBF 要和它们比"每个位子、每美元能给多少"
一句话:HBF 的 PMF 是 ASIC 上"数据多、读得慢、只读"的推理,是 weights story,不是 KV story
8. 管理层怎么说
| 谁 | 说了什么 | 场合 | 和本文判断 |
|---|---|---|---|
| SanDisk (Alper Ilkbahar) | 和 HBM 带宽接近、容量 8–16 倍、成本相近;仿真读 Llama 405B 预训练权重,与无限容量 HBM 差 2.2% | FMS 2025 keynote、官方 blog | 一致:场景是读权重 |
| SanDisk | 早期以为 KV 这类要频繁更新的数据还得放 HBM,后来认为 DeepSeek 的 MLA 把 KV 压小了,不再需要 | 2025-02 Investor Day 后采访 | 分歧:北大实测 HBF 放 KV 更差 |
| 标准发布时的解读 | 最明确的首个应用是推理时存放预训练权重;较冷的 KV 以后也许会挪进来;HBM 继续放延迟敏感、频繁更新的数据 | 2026-08 OCP spec 发布 | 一致 |
| SK hynix | H3 论文只把只读数据放 HBF;列出 μs 访问、10 万次寿命、4 倍功耗三个缺点;AI NAND 三条线里 HBF 叫 AIN B | IEEE CAL 2026;2025-10 AI NAND 战略 | 一致 |
| NVIDIA | 没有公开表态;自家路线是 Vera C2C LPDDR 和封装外的 Storage-Next | — | 支持"NVIDIA 不急" |
Source: SanDisk blog (2025-08-06、2025-08-11);Blocks & Files (2025-02-25);RJC Capital 对 spec 发布的解读 (2026-08-04);SK hynix H3;Tom's Hardware (2025-10-28)
一句话:厂商口径和本文一致,都是"权重优先、KV 以后再说";唯一的分歧是 SanDisk 认为 MLA 让 KV 也能放,独立实测不支持
9. 最容易被误读的几点
还是灶台的比方:灶台边只能摆 8 个架子。HBF 是一个大 14 倍、递菜速度约 6 成的架子。菜多、每秒要递的菜不多时,一个 HBF 架子能顶好几个 HBM 架子;每秒要递的菜很多时,它反而递不过来。
| 大家以为 | 实际 |
|---|---|
| HBF = 便宜 10 倍的 HBM | 每个位子容量 14 倍、带宽 0.57 倍,价格没有厂商口径。它省的是位子和 GPU 数,不是每 GB 的钱 |
| 每秒只能把自己读 3 遍,所以只能放冷数据 (本文 v2 的说法) | 这是按每 GB 比。按位子比,每秒 44 步以下 HBF 每步读得比 HBM4 多,dense 权重在批量推理里也适合。v3 已改正 |
| HBF 能解决 KV cache 膨胀 | 在线 KV 每步写,放 HBF 延迟升 2–5.5 倍;只有一次写、多次读的共享 KV 适合 |
| 4 颗 HBF GPU = 8 颗 HBM GPU | 只在数据多、步数慢时成立;前沿模型高速交互解码下反过来要多买 |
| NVIDIA 会用 | NVIDIA 没表态,自家有两条替代路线;先用的更可能是 ASIC |
一句话:HBF 不是便宜的 HBM,是"更大但更慢的位子";数据多、读得慢时它让 GPU 少买,读得快时它让 GPU 多买
10. TAM 与起量节奏
- N:2030 年 AI 加速器出货 (GPU + ASIC,颗)。25M 是占位,应换成 AI Economy Model 的 2030 XPU 出货
- a:带 HBF 的出货占比。上限是"没有大容量 CPU 内存可借、且主要跑批量或多模型推理"的 ASIC SKU
- s:每颗几个 HBF stack。SanDisk 示例是 2 HBM + 6 HBF,H3 仿真用 8 + 8
- P:每 stack 售价。TLC 晶圆价约 $0.125/GB (CFM 1Tb TLC $16),加上 TSV 堆叠、base die、良率和测试 4–8 倍,成本 $0.5–1.0/GB,512GB stack 约 $400–800 (我估)
- C:每 stack 容量,Gen1 512GB,Gen2 1TB
Base → Bull:a 3% → 10% (NVIDIA 或 AMD 采用),s 4 → 6,P $500 → $700,C 升到 Gen2 的 1TB。上限:a 25%、s 8。
为什么不能更多:
- 前沿模型的高速交互解码 (最大的推理负载之一) 在门槛之上,HBF 反而更差
- NVIDIA 有 C2C LPDDR,自家 GPU 不急,a 被 ASIC 推理 SKU 封顶
- 每个 HBF 顶掉一个 HBM 的位子,s 越大,留给在线 KV 的 HBM 越少
- spec 2026-08 定稿,加 24–30 个月芯片设计,最早 2028 年底有量产硅,2030 年前最多 1–2 代芯片带 HBF
为什么两家还做:SK hynix 能把 HBM 的堆叠能力复用到 NAND 上;SanDisk 需要摆脱"大宗商品"的定位;标准开放,先做的人定规则。对厂商是便宜的期权,不能当成需求证据。
起量曲线
| rt (2030 = 1) | 2026 | 2027 | 2028 | 2029 | 2030 | 2031 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| HBF | 0 | 0 | 0.05 | 0.35 | 1.00 | 1.80 |
- 晚而陡:闸门是加速器设计周期。2027 送样,2028 首个 ASIC 小批,2029–30 跟着新一代推理芯片起量
- 节点:2027 样品 (看 cell 模式、持续带宽) → GTC 2027 看 NVIDIA roadmap → 2028 量产与首个 ASIC → Gen2 (1TB)
对核心议题
- NAND 位元:base 1.5 EB,按 2030 年 NAND 位元供给约 2,000 EB (假设) 不到 0.1%;若用 SLC 约 0.2%;bull 约 15 EB,0.8%
- HBM:只在 ASIC 上替代一部分位子。base 对 HBM 需求影响 <1%;bull 情形下 ASIC 每颗少 2–4 个 HBM stack,才值得进 HBM 模型
- 算力:在批量推理和多模型场景,同样负载所需 GPU 少 3–8 倍 (第 5 节),对算力是减项;但这些场景今天多半靠 CPU 内存和 SSD 换入,实际减少的 GPU 采购量难估
- 谁拿钱:SanDisk、SK hynix (Samsung 可能跟进);TSV 堆叠和测试沿用 HBM 供应链;UCIe PHY IP;CoWoS 产能
怎么把锚做硬:
- N:换成 AI Economy Model 的 2030 XPU 出货
- a:数 2027–28 tape-out 的推理 ASIC 里带 HBF 接口的型号,乘各自出货
- P:专家访谈问 SanDisk / SK hynix 的 HBF stack 目标价相对 HBM stack 的比例
- 第 5 节的 f 和 S:问 serverless 推理平台,一张卡常驻几个模型、每个模型的调用占比、平均每秒出多少 token
一句话:2030 base 约 $1.5B,对 NAND 不到 0.1%,对 HBM 是 ASIC 上的小幅替代;要改变结论,需要 NVIDIA 把 HBF 放进 roadmap
证据分级
| 来源 | 主体 | 一手 / 自报 | 数据 | 自己列了限制吗 | 权重 |
|---|---|---|---|---|---|
| 北大 Li et al., "HBF Sucks?" (arXiv 2608.11668) | 学术,独立 | 一手,代码与 trace 公开 | 4 条 2 小时生产 trace,5 个模型 | 是:只测了在线 KV | 高 (但只覆盖弱项) |
| SK hynix H3 (IEEE CAL 2026) | 厂商研究 | 一手论文 | 仿真,B200 + 8 HBM3E + 8 HBF | 是:列了三个缺点 | 中高 |
| OCP spec | 厂商 | 一手 | 规格,非实测 | 否 | 中 |
| SanDisk 仿真 (4 = 8、2.2%) | 厂商 | 自报,部分经卖方转述 | 仿真,图表无坐标 | 否 | 低 |
| 第 5 节位子计算 | 本文 | — | 按规格推算 | 是:f、S、价格为估计 | 用来看方向和门槛,不看精确数 |
| KAIST 金正浩预测 | 个人,倡导者 | 自报 | 无 | 否 | 低 |
数据来源与 changelog
- SK hynix Newsroom:HBF 首版标准 (2026-08-04);H3 论文,IEEE CAL (2026-02);AI NAND 战略 (Tom's Hardware,2025-10-28)
- Li et al., HBF Sucks? A Full-Stack Characterization of High-Bandwidth Flash for KV-Centric LLM Serving, arXiv 2608.11668 (2026-08-12)
- SanDisk blog:Scaling the Memory Wall (2025-08-06)、Memory-Centric AI (2025-08-11);StorageReview (2026-08-20);Blocks & Files (2025-02-25)
- TrendForce:SanDisk Investor Day HBF tape-out (2026-08-14);金正浩预测 (2026-01-16)
- Micron:HBM4 36GB 12 层、>2.8TB/s,量产供 Vera Rubin (GTC 2026)
- CFM 闪存市场:1Tb TLC wafer 报价 $16 (报价日期未注明)
- 未在本次核实、来自训练知识:Vera LPDDR5X 1.5TB 与 C2C 1.8TB/s;HBM4 stack 价格量级
- 假设:2030 AI 加速器出货 25M 颗;2030 NAND 位元供给约 2,000 EB;每颗 GPU 8 个内存位子;HBF stack $500、HBM4 stack $600